网课知到模拟电子技术基础（山东理工大学）智慧树答案

第一章 单元测试

1、判断题：

电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V

A:对
B:错
正确答案:【对】

2、判断题：

电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V

A:错
B:对
正确答案:【对】

3、单选题：

电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（   ）V

A:1
B:2
C:3
D:0
正确答案:【0】

4、单选题：

电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（  ）V

A:2.1
B:2.2
C:2.3
D:2.4
正确答案:【2.3】

5、判断题：

稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好

A:错
B:对
正确答案:【错】

6、判断题：稳压管的正常工作区是反向区
A:错
B:对
正确答案:【错】

7、判断题：二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化
A:错
B:对
正确答案:【对】

8、判断题：扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A:对
B:错
正确答案:【对】

9、判断题：当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置
A:错
B:对
正确答案:【对】

10、判断题：在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A:对
B:错
正确答案:【对】

第二章 单元测试

1、单选题：共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（  ）
A:4
B:1
C:3
D:2
正确答案:【1】

2、判断题：

共集电极放大电路的输入电阻比较高

A:错
B:对
正确答案:【对】

3、判断题：共集电极放大电路的输出电阻比较低
A:错
B:对
正确答案:【对】

4、判断题：共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路
A:错
B:对
正确答案:【对】

5、判断题：直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化
A:错
B:对
正确答案:【对】

6、判断题：不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗
A:错
B:对
正确答案:【错】

7、判断题：若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管
A:对
B:错
正确答案:【错】

8、判断题：

由于ICBO对温度非常敏感，当温度升高时，ICBO增高很快，所以ICEO增加得也很快，IC也就相应增加

A:对
B:错
正确答案:【对】

9、判断题：Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。3脚为B极，1脚为E极，2脚为C极
A:错
B:对
正确答案:【对】

10、判断题：Ul＝8V，U2＝2V，U3＝2.7V，为硅管。3脚为B极，2脚为E极，1脚为C极
A:对
B:错
正确答案:【对】

第三章 单元测试

1、单选题：N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内           。
A:为正
B:为负
C:可正可负
正确答案:【可正可负】

2、判断题：N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压
A:对
B:错
正确答案:【错】

3、判断题：结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置，因此，其输入电阻很高。
A:对
B:错
正确答案:【对】

4、判断题：跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系，Q点越高，gm越小
A:错
B:对
正确答案:【错】

5、判断题：输入加在栅极和源极间的输入回路，输出加在漏极和源极间的输出回路，这为共源极放大电路。
A:错
B:对
正确答案:【对】

6、判断题：如图所示的放大电路中，已知VDD=30V，R1=30 ，R2=200 ，Rd=15 ，Rs=1 ，Rg=20 ，负载电阻RL=1 ，场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS。

A:对
B:错
正确答案:【对】

7、判断题：
求输出电阻表达式为
A:错
B:对
正确答案:【对】

8、判断题：在图所示的放大电路中，已知V DD=30V，R 1=30 ，R 2=200 ，R d=15 ，R s=1 ，R g=20 ，负载电阻R L=1 ，场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS计算电压放大倍数为
A:对
B:错
正确答案:【对】

9、判断题：

求静态工作点的步骤为是否正确？
A:对
B:错
正确答案:【对】

10、判断题：N沟道结型场效应管正常工作，当uGS负向增大时，沟道电阻增大，iD将减小
A:错
B:对
正确答案:【错】

第四章 单元测试

1、单选题：两级放大电路的上限频率分别为f1 =100kHz，f2 =500kHz，则放大电路总的上限频率应为（    ）kHz。
A:400
B:200
C:300
D:100
正确答案:【100】

2、单选题：如两级放大电路下限频率f1=20Hz，f2=120Hz，则放大电路总的下限频率应为（     ）Hz
A:110
B:130
C:120
D:140
正确答案:【120】

3、判断题：两级放大电路由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成，下限频率f=100Hz,则总下限频率为156Hz.
A:对
B:错
正确答案:【对】

4、判断题：直接耦合电路下限频率f=1Hz
A:对
B:错
正确答案:【错】

5、单选题：某放大电路的电压放大倍数为20dB，则该电路的电压放大倍数为（    ）
A:10
B:8
C:5
D:15
正确答案:【10】

6、判断题：如图所示，试写出电压放大倍数表达式
A:对
B:错
正确答案:【对】

7、判断题：下限频率为
A:对
B:错
正确答案:【对】

8、判断题：   相位差=1800

A:错
B:对
正确答案:【错】

9、判断题：根据波特图写电压放大倍数
A:对
B:错
正确答案:【对】

10、判断题：下限频率下限频率表达式为Ri=Rb
A:错
B:对
正确答案:【错】

第五章 单元测试

1、判断题：同型号的三极管可以复合而不同型号的三极管很难复合
A:对
B:错
正确答案:【错】

2、判断题：复合管准互补对称电路中靠近负载的两个输出管的型号是相同的，目的是这样使用使得电路更容易对称。
A:错
B:对
正确答案:【对】

3、判断题：功率放大电路按输出端与负载的耦合方式的不同，分为变压器耦合方式、无输出变压器（OTL）方式和无输出电容（OCL）方式
A:错
B:对
正确答案:【对】

4、判断题：乙类互补对称功率放大电路的能量转换效率最高是78.5%。
A:错
B:对
正确答案:【对】

5、判断题：饱和失真、截止失真和交越失真都属于非线性失真。
A:错
B:对
正确答案:【对】

6、单选题：
A:17.5
B:19
C:16.5
D:18.5
正确答案:【17.5】

7、判断题：
A:对
B:错
正确答案:【对】

8、判断题：
计算是否正确？

A:错
B:对
正确答案:【对】

9、单选题：电路如图所示，VCC=20V
静态时，负载 中的电流应该是多少______A ？

A:1
B:2
C:3
D:0
正确答案:【0】

10、判断题：若输出电压波形出现交越失真，应该调整R2

A:错
B:对
正确答案:【对】

第六章 单元测试

1、判断题：差动放大电路对共模信号的抑制能力，就是抑制零点漂移的能力
A:错
B:对
正确答案:【对】

2、判断题：差动放大电路对差模信号有放大能力
A:错
B:对
正确答案:【对】

3、判断题：差动放大电路仅对差模信号给予放大，而对共模信号无放大能力
A:错
B:对
正确答案:【对】

4、判断题：长尾式差动放大电路也是一种典型差动放大电路,Re数值愈大，对共模信号（即零点漂移）的抑制能力就愈强
A:错
B:对
正确答案:【对】

5、判断题：长尾式差动放大电路,Re基本上不影响差模信号的放大效果
A:对
B:错
正确答案:【对】

6、判断题：表达式是否正确

A:错
B:对
正确答案:【对】

7、判断题：镜像电流源输出电流与基准电流相等
A:对
B:错
正确答案:【错】

8、判断题：带恒流源的差分放大电路是否正确
A:错
B:对
正确答案:【错】

9、判断题：

为了提高共模抑制比，可采用的途径有：一方面是使电路参数尽量对称，另一方面可尽量加大共模反馈电阻Re

A:对
B:错
正确答案:【对】

10、判断题：是否正确？
A:错
B:对
正确答案:【错】

第七章 单元测试

1、单选题：电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（   ）
A:串联电流
B:并联电流
C:串联电压
D:并联电压
正确答案:【串联电压】

2、单选题：电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（   ）
A:并联电压
B:串联电流
C:并联电流
D:串联电压
正确答案:【串联电流】

3、单选题：电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）
A:并联电压
B:串联电流
C:并联电流
D:串联电压
正确答案:【串联电压】

4、单选题：电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）
A:串联电压
B:并联电流
C:串联电流
D:并联电压
正确答案:【串联电流】

5、单选题：电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）
A:并联电流
B:串联电压
C:串联电流
D:并联电压
正确答案:【串联电压】

6、单选题：
A:并联电压
B:串联电压
C:并联电流
D:串联电流
正确答案:【串联电压】

7、单选题：
A:并联电压
B:串联电流
C:并联电流
D:串联电压
正确答案:【并联电流】

8、单选题：
A:并联电流
B:串联电流
C:并联电压
D:串联电压