知到网课数字电子技术智慧树答案（安徽理工大学）

第一章 单元测试

1、十进制数78转换成8421BCD码是（ ）。

A:00111000

B:01111000

C:11111000

D:01110111

正确答案:【01111000】

2、将十进制数43转换成8421BCD码后，答案是（ ）。

A:00111000

B:01000011

C:11111000

D:01110111

正确答案:【01000011】

3、将十进制数23转换成8421BCD码后，我们可以得到（ ）。

A:00111000

B:00100011

C:11111000

D:01110111

正确答案:【00100011】

4、十进制数123转换成8421BCD码是（ ）。

A:000100100011

B:011110001100

C:111110000010

D:011101111101

正确答案:【000100100011】

5、十进制数78转换成5421BCD码是（ ）。

A:10101011

B:01111011

C:11111000

D:01110111

正确答案:【10101011

01111011】

6、十进制数72转换成2421BCD码是（ ）。

A:11011000

B:01110010

C:01111000

D:11010010

正确答案:【11011000

01110010

01111000

11010010】

7、格雷码是一种循环码，具有循环性和反射性。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

8、8421BCD码是一种有权自然码。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

9、0状态是与门的有效状态。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

10、0状态是或门的有效状态。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【错】

第二章 单元测试

1、哪项没有使用吸收率（ ）。

A:A+AB=A

B:A+A=A

C:A+AB+ABC=A

D:A+AB+AC=A

正确答案:【A+A=A】

2、哪项表述是错误的（ ）。

A:卡诺图包围圈包围“1”的个数越多越好

B:卡诺图包围圈个数越少越好

C:卡诺图化简法和代数法化简比较，卡诺图化简法更好

D:卡诺图是使用格雷码编码，包含最小项的方格。

正确答案:【卡诺图化简法和代数法化简比较，卡诺图化简法更好】

3、哪项不属于代数法化简规则（ ）。

A:代入规则

B:对偶规则

C:互换规则

D:反演规则

正确答案:【互换规则】

4、哪项属于代数法化简规则（ ）。

A:代入规则

B:对偶规则

C:互换规则

D:反演规则

正确答案:【代入规则

对偶规则

反演规则】

5、A+ACD+ABC+AB化简结果不是（ ）。

A:B

B:CD

C:A

D:AB

正确答案:【B

CD

AB】

6、通过反演规则进行了哪些对换，可以把原式变成反演式（ ）。

A:0-1

B:原-反

C:与-或

D:异或-同或

正确答案:【0-1

原-反

与-或】

7、摩根定理遵循反演规则。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

8、原式就是对偶式。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【错】

9、原式按照对偶规则可得其对偶式 。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

10、原式按照反演规则可得其反演式。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

第三章 单元测试

1、关于CMOS反相器的电路结构描述正确的是（ ）。

A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

正确答案:【一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。】

2、关于CMOS与非门的电路结构描述正确的是（ ）。

A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

正确答案:【两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。】

3、对于CMOS与非门的电路结构，下列描述中正确的是（ ）。

A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

正确答案:【两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。】

4、TTL与非门输入端不用时如何处理（ ）。

A:悬空

B:接高电平

C:接地

D:接大电阻

正确答案:【悬空

接高电平

接大电阻】

5、关于NMOS反相器描述正确的是（ ）。

A:有源负载管始终工作于恒流区。

B:工作管输出可以是“0”，也可以是“1”。

C:工作管始终工作于恒流区。

D:有源负载管输出可以是“0”，也可以是“1”。

正确答案:【有源负载管始终工作于恒流区。

工作管输出可以是“0”，也可以是“1”。

有源负载管输出可以是“0”，也可以是“1”。】

6、以下描述错误的是（ ）。

A:TTL电路是由场效应管构成。

B:CMOS电路是由三极管构成。

C:TTL电路输入端不能悬空。

D:TTL电路输入端可以悬空。

正确答案:【TTL电路是由场效应管构成。

CMOS电路是由三极管构成。

TTL电路输入端不能悬空。】

7、TTL与非门电路输入端悬空等价于高电平状态。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

8、CMOS与非门电路输入端悬空等价于高电平状态。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【错】

9、TTL与非门电路输入端接大电阻等价于高电平状态 。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

10、CMOS与非门电路输入端不能悬空 。（ ）

A:对

B:错

正确答案:【对】

第四章 单元测试

1、关于组合电路描述正确的是（ ）。

A:组合电路输出不仅取决于当前输入还与原来的输入有关。

B:组合电路有记忆功能。

C:组合电路有反馈线路。

D:组合电路输出只取决于当前输入。

正确答案:【组合电路输出只取决于当前输入。】

2、组合电路分析步骤（ ）。

A:电路图——真值表——表达式——结论。

B:表达式——电路图——真值表——结论

C:电路图——表达式——真值表——结论。

D:真值表——表达式——电路图——结论。

正确答案:【电路图——表达式——真值表——结论。】

3、组合电路设计步骤（ ）。

A:电路图——真值表——表达式——结论。

B:表达式——电路图——真值表——结论

C:电路图——表达式——真值表——结论。

D:真值表——表达式——电路图——结论。

正确答案:【真值表——表达式——电路图——结论。】

4、属于组合电路的是（ ）。

A:计数器

B:译码器

C:寄存器

D:数据分配器

正确答案:【译码器

数据分配器】

5、关于译码器描述正确的是（ ）。

A:译码器可以连成数据分配器。

B:译码器可以连成全加器。

C:74HC163是同步十进制计数器。

D:译码器可以连成流水灯状态。

正确答案:【译码器可以连成数据分配器。

译码器可以连成全加器。

译码器可以连成流水灯状态。】

6、数据选择器有（ ）。

A:741